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分子束外延系統(tǒng)分析介紹
日期：2025-05-13 03:06
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摘要：
分子束外延系統(tǒng)是一種先進(jìn)的材料生長(zhǎng)技術(shù)，它在電子領(lǐng)域、能源領(lǐng)域和光電領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用。分子束外延被認(rèn)為是一種高精度的材料生長(zhǎng)方法，適用于高質(zhì)量的單層材料生長(zhǎng)。該技術(shù)幾乎可以在所有基底上進(jìn)行，特別適合于硅、鍺、氮化硅和氮化鎵等基底。它的優(yōu)點(diǎn)包括單原子層生長(zhǎng)的能力、高質(zhì)量的薄膜生長(zhǎng)、受控的界面形態(tài)和化學(xué)成分、以及**的厚度控制等。
分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)的核心部件包括一個(gè)真空室、樣品加載平臺(tái)、Molecular beam epitaxy(MBE)爐、分子束源和探測(cè)系統(tǒng)等。分子束外延爐是生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶異質(zhì)結(jié)構(gòu)的主要工具。在分子束源中，金屬、半導(dǎo)體和氣體源等材料以單原子層的形式供給。這些材料被基底表面的熱激活接收，發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，*終形成薄膜。探測(cè)系統(tǒng)則用于測(cè)量生長(zhǎng)表面的光譜、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特征。
在分子束外延生長(zhǎng)的過(guò)程中，材料的選擇和生長(zhǎng)條件對(duì)*終的薄膜形態(tài)和物理性質(zhì)起著至關(guān)重要的作用。通常情況下，分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)要求高真空環(huán)境，充分凈化氣體，避免外界雜質(zhì)對(duì)樣品生長(zhǎng)的影響。
分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)的核心部件包括一個(gè)真空室、樣品加載平臺(tái)、Molecular beam epitaxy(MBE)爐、分子束源和探測(cè)系統(tǒng)等。分子束外延爐是生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶異質(zhì)結(jié)構(gòu)的主要工具。在分子束源中，金屬、半導(dǎo)體和氣體源等材料以單原子層的形式供給。這些材料被基底表面的熱激活接收，發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，*終形成薄膜。探測(cè)系統(tǒng)則用于測(cè)量生長(zhǎng)表面的光譜、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特征。
在分子束外延生長(zhǎng)的過(guò)程中，材料的選擇和生長(zhǎng)條件對(duì)*終的薄膜形態(tài)和物理性質(zhì)起著至關(guān)重要的作用。通常情況下，分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)要求高真空環(huán)境，充分凈化氣體，避免外界雜質(zhì)對(duì)樣品生長(zhǎng)的影響。
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